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产品介绍

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3英寸氧化硅片 IC单晶单抛片 SIO2 热氧化工艺

氧化硅片

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<span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);"></span><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);">热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。</span></p><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);">    应用范围：</span></p><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);">1，刻蚀率测定</span></p><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);">2，金属打线测试</span></p><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);">3，金属晶圆</span></p><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);">4，电性绝缘层</span></p><p><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_114426_050.jpg" width="750" height="750" style=""/></p><p><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/></p><p><span style="font-size: 18px; color: rgb(0, 0, 0);"></span><br/></p><p><br/></p>

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