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产品介绍

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1 2 3 4 6 8 12英寸单面抛光硅片高纯度单晶硅镀膜

单抛硅片

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生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺 直径与工差：100±0.4mm 掺杂类型：N型（掺磷，砷，锑） P型（掺硼） 晶向：<111><100> 电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制 工艺数据：平整度TIR:<3μm 、翘曲度TTV: <10μm 、                 弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗                     粒度< 10 (for size >0.3μm) 用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜                做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、                            SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_113203_047.png" width="750" height="750" style=""/>
3英寸氧化硅片 IC单晶单抛片 SIO2 热氧化工艺

氧化硅片

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热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。    应用范围：1，刻蚀率测定2，金属打线测试3，金属晶圆4，电性绝缘层<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/20200225_114426_050.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>
3-50mm单晶抛光硅片 XRD AFM SEM测试基底

单抛硅片

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高纯单晶抛光硅片，已激光划片，方便大小使用，小硅片尺寸是3、5、10、15、20、25、30、40、50mm的方片，硅片厚度550um-725um，有少量库存，其他尺寸的需要定制，请联系店家。可用于同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM等领域。 生长方法     直拉单晶                抛光           单抛（抛光面有蓝膜保护） 晶体取向     <100> 电阻率        1~30工艺参数     平整度TIR<3μm、挠曲度TTV<10μm、弯曲度BOW<10μm、粗糙度<0.5nm、颗粒度<10（for size>0.3μm） 加工定制    客户如果需要不同参数的硅片，请联系客服 支付方式    公对公转账、院校合作、支付宝、货到付款、银行汇款 <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/TB2t1mgrf5TBuNjSspmXXaDRVXa_!!3383161813.jpg" width="750" height="750"/>
4英寸单面双面抛光硅片高纯度单晶硅镀膜

双抛硅片

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生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺直径与工差：100±0.4mm掺杂类型：N型（掺磷，砷， 锑） P型（掺硼）晶向：<111><100>电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制工艺数据：平整度TIR:<3μm 、翘曲度TTV: <10μm 、                弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗                     粒度< 10 (for size > 0.3μm)<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01PAHndo1PGOeUuewxS_!!3383161813.jpg" width="750" height="750"/>
8英寸抛光硅片P型晶向100/红外扫描衬底片

双抛硅片

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型号/掺杂类型 N/P磷、砷、硼可根据客户要求发货或定制 晶向 <111><100><110> 可根据客户要求发货或定制 电阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客户要求发货或定制 平整度STIR <1μm 发票可提供机打发票 翘曲度TTV <3μm 弯曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 颗粒度pewaferr <10颗 (forsize>0.3μm) 包装方式 1片包装、5片包装、10片封装、25片封装超洁净无尘铝箔真空封装； 现有库存厚度μm 双抛200-2000μm、单抛150-5000μm之间各种厚度硅片均可提供； 到目前为止，我们有多家公司，多所高校、科研所的长期客户。包括：TCL集团股份有限公司，京东方科技集团股份有限公司，深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电半导体显示技术有限公司，应用材料（中国）有限公司，鹏翔飞控作动系统（西安）有限责任公司，广东美的制冷设备有限公司，马鞍山太时芯科技有限公司，山东科芯电子有限公司，湖南湘标新材料科技有限公司，北京嘉仕涛科技有限公司，苏州甫一电子科技有限公司，营口尚能光电材料有限公司，上海东贝真空设备有限公司，北京世纪金光半导体有限公司，杭州纤纳光电科技有限公司，苏州爱彼光电材料有限公司，江西冠能光电材料有限公司，福建中科芯光电科技有限公司，苏州原位芯片科技有限公司，洛阳市鼎晶电子材料有限公司，深圳市化试科技有限公司，清华大学，上海交通大学，哈尔滨工业大学，西安交通大学，中山大学，华中科技大学，厦门大学，北京航空航天大学，吉林大学，北京工业大学，苏州大学，上海科技大学，黑龙江大学，中北大学等众多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>
2英寸本征不摻杂无掺杂高阻IC单晶硅片抛光硅片

本征区熔高阻硅片

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型号/掺杂类型 N/P磷、砷、硼可根据客户要求发货或定制 晶向 <111><100><110> 可根据客户要求发货或定制 电阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客户要求发货或定制 平整度STIR <1μm 发票可提供机打发票 翘曲度TTV <3μm 弯曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 颗粒度pewaferr <10颗 (forsize>0.3μm) 包装方式 1片包装、5片包装、10片封装、25片封装超洁净无尘铝箔真空封装. <img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01PAHndo1PGOeUuewxS_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01flcXxx1PGOeZ2BUKj_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/> 现有库存厚度μm 双抛200-2000μm、单抛150-5000μm之间各种厚度硅片均可提供；
3英寸si单晶高纯度本征不摻杂高阻IC单晶抛光硅片

本征区熔高阻硅片

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型号/掺杂类型 N/P磷、砷、硼 可根据客户要求发货或定制 晶向 <111><100><110> 可根据客户要求发货或定制 电阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客户要求发货或定制 平整度STIR <1μm 发票 可提供机打发票 翘曲度TTV <3μm 弯曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 颗粒度pewaferr <10颗 (forsize>0.3μm) 包装方式 1片包装、5片包装、10片封装、25片封装超洁净无尘铝箔真空封装； 现有库存厚度μm 双抛200-2000μm、单抛150-5000μm之间各种厚度硅片均可提供；到目前为止，我们有多家公司，多所高校、科研所的长期客户。包括：TCL集团股份有限公司，京东方科技集团股份有限公司，深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电半导体显示技术有限公司，应用材料（中国）有限公司，鹏翔飞控作动系统（西安）有限责任公司，广东美的制冷设备有限公司，马鞍山太时芯科技有限公司，山东科芯电子有限公司，湖南湘标新材料科技有限公司，北京嘉仕涛科技有限公司，苏州甫一电子科技有限公司，营口尚能光电材料有限公司，上海东贝真空设备有限公司，北京世纪金光半导体有限公司，杭州纤纳光电科技有限公司，苏州爱彼光电材料有限公司，江西冠能光电材料有限公司，福建中科芯光电科技有限公司，苏州原位芯片科技有限公司，洛阳市鼎晶电子材料有限公司，深圳市化试科技有限公司，清华大学，上海交通大学，哈尔滨工业大学，西安交通大学，中山大学，华中科技大学，厦门大学，北京航空航天大学，吉林大学，北京工业大学，苏州大学，上海科技大学，黑龙江大学，中北大学等众多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01SyAdvQ1PGOXluQmoR_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>
2/3/4/5/6英寸晶圆薄片双面精致研磨片

研磨片

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型号/掺杂类型 N/P磷、砷、硼 可根据客户要求发货或定制 晶向 <111><100><110> 可根据客户要求发货或定制 电阻率 0.001-20000(Ω·cm)可按照客户要求发货或定制 平整度STIR <1μm 发票 可提供机打发票 翘曲度TTV <3μm 弯曲的BOW <5μm 粗糙度Ra <0.5nm 颗粒度pewaferr <10颗 (forsize>0.3μm) 包装方式 1片包装、5片包装、10片封装、25片封装超洁净无尘铝箔真空封装； 现有库存厚度μm 双抛200-2000μm、单抛150-5000μm之间各种厚度硅片均可提供；到目前为止，我们有多家公司，多所高校、科研所的长期客户。包括：TCL集团股份有限公司，京东方科技集团股份有限公司，深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电半导体显示技术有限公司，应用材料（中国）有限公司，鹏翔飞控作动系统（西安）有限责任公司，广东美的制冷设备有限公司，马鞍山太时芯科技有限公司，山东科芯电子有限公司，湖南湘标新材料科技有限公司，北京嘉仕涛科技有限公司，苏州甫一电子科技有限公司，营口尚能光电材料有限公司，上海东贝真空设备有限公司，北京世纪金光半导体有限公司，杭州纤纳光电科技有限公司，苏州爱彼光电材料有限公司，江西冠能光电材料有限公司，福建中科芯光电科技有限公司，苏州原位芯片科技有限公司，洛阳市鼎晶电子材料有限公司，深圳市化试科技有限公司，清华大学，上海交通大学，哈尔滨工业大学，西安交通大学，中山大学，华中科技大学，厦门大学，北京航空航天大学，吉林大学，北京工业大学，苏州大学，上海科技大学，黑龙江大学，中北大学等众多的公司、高校和科研所。<img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01LsbM631PGOcKSfQG1_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://pro764880.pic48.websiteonline.cn/upload/O1CN01flcXxx1PGOeZ2BUKj_!!3383161813.jpg" width="750" height="750" style=""/>

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