生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺

直径与工差：100±0.4mm

掺杂类型：N型（掺磷 ， 砷 ， 锑） P型（掺硼）

晶向：<111><100>

电阻率： 0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制

工艺数据：平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、

                弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗                     粒度< 10 (for size >0.3μm)

用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜                做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、                            SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试 基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体。